Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > TPN1110ENH,L1Q
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4790056Зображення TPN1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and Storage

TPN1110ENH,L1Q

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
5000+
$0.676
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    TPN1110ENH,L1Q
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    TPN1110ENH,L1Q.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Серія
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    114 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    700mW (Ta), 39W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerVDFN
  • Інші імена
    TPN1110ENH,L1Q(M
    TPN1110ENHL1QTR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    600pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    200V
  • Детальний опис
    N-Channel 200V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.2A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "TPN1110ENH,L1Q".
TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

Опис: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN30008NH,LQ

TPN30008NH,LQ

Опис: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

Опис: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q

Опис: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Опис: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN3021RL

TPN3021RL

Опис: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Опис: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN13008NH,L1Q

TPN13008NH,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN2R304PL,L1Q

TPN2R304PL,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN11003NL,LQ

TPN11003NL,LQ

Опис: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN22006NH,LQ

TPN22006NH,LQ

Опис: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN11006NL,LQ

TPN11006NL,LQ

Опис: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN3021

TPN3021

Опис: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN1600ANH,L1Q

TPN1600ANH,L1Q

Опис: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN14006NH,L1Q

TPN14006NH,L1Q

Опис: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPN3R704PL,L1Q

TPN3R704PL,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.