Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > TPH8R80ANH,L1Q
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5859888Зображення TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and Storage

TPH8R80ANH,L1Q

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
5000+
$0.777
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    TPH8R80ANH,L1Q
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    TPH8R80ANH,L1Q.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 500µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SOP Advance (5x5)
  • Серія
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 16A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.6W (Ta), 61W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerVDFN
  • Інші імена
    TPH8R80ANH,L1Q(M
    TPH8R80ANHL1Q
    TPH8R80ANHL1QTR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2800pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 32A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "TPH8R80ANH,L1Q".
TPH8R903NL,LQ

TPH8R903NL,LQ

Опис: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH8R008NH,L1Q

TPH8R008NH,L1Q

Опис: MOSFET N CH 80V 34A SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH7R506NH,L1Q

TPH7R506NH,L1Q

Опис: MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH6400ENH,L1Q

TPH6400ENH,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPHCS250-M

TPHCS250-M

Опис: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH7R204PL,LQ

TPH7R204PL,LQ

Опис: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPHCS250-ML

TPHCS250-ML

Опис: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPHCS250-E

TPHCS250-E

Опис: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH5900CNH,L1Q

TPH5900CNH,L1Q

Опис: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPHCS250-P

TPHCS250-P

Опис: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH5R906NH,L1Q

TPH5R906NH,L1Q

Опис: MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPHCS-B-EL

TPHCS-B-EL

Опис: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH6R30ANL,L1Q

TPH6R30ANL,L1Q

Опис: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

Опис: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPH6R003NL,LQ

TPH6R003NL,LQ

Опис: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPHCS-B-M

TPHCS-B-M

Опис: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPHCS-B-E

TPHCS-B-E

Опис: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPHCS-B-ML

TPHCS-B-ML

Опис: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPHCS250-EL

TPHCS250-EL

Опис: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
TPH7R006PL,L1Q

TPH7R006PL,L1Q

Опис: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.