Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > TPC6006-H(TE85L,F)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2802946

TPC6006-H(TE85L,F)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    TPC6006-H(TE85L,F)
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.TPC6006-H(TE85L,F).pdf
    2.TPC6006-H(TE85L,F).pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    VS-6 (2.9x2.8)
  • Серія
    U-MOSIII-H
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 1.9A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    700mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    251pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.4nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    N-Channel 40V 3.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "TPC6006-H(TE85L,F)".
TPC6.8AHM3_A/I

TPC6.8AHM3_A/I

Опис: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
TPC6011(TE85L,F,M)

TPC6011(TE85L,F,M)

Опис: MOSFET N-CH 30V 6A VS6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC51AHM3_A/I

TPC51AHM3_A/I

Опис: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
TPC6.8HM3/87A

TPC6.8HM3/87A

Опис: TVS DIODE 5.5V 10.8V TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
TPC51AHM3/86A

TPC51AHM3/86A

Опис: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
TPC6111(TE85L,F,M)

TPC6111(TE85L,F,M)

Опис: MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC6010-H(TE85L,FM

TPC6010-H(TE85L,FM

Опис: MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC51AHM3/87A

TPC51AHM3/87A

Опис: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
TPC6008-H(TE85L,FM

TPC6008-H(TE85L,FM

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC6012(TE85L,F,M)

TPC6012(TE85L,F,M)

Опис: MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC51AHM3_A/H

TPC51AHM3_A/H

Опис: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
TPC6.8AHM3_A/H

TPC6.8AHM3_A/H

Опис: TVS DIODE SMPC TO-277A

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
TPC6.8AHM3/87A

TPC6.8AHM3/87A

Опис: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
TPC6.8AHM3/86A

TPC6.8AHM3/86A

Опис: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC SMPC

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
TPC6109-H(TE85L,FM

TPC6109-H(TE85L,FM

Опис: MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC6009-H(TE85L,FM

TPC6009-H(TE85L,FM

Опис: MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC6110(TE85L,F,M)

TPC6110(TE85L,F,M)

Опис: MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC6.8HM3/86A

TPC6.8HM3/86A

Опис: TVS DIODE 5.5VWM 10.8VC SMPC

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
TPC6104(TE85L,F,M)

TPC6104(TE85L,F,M)

Опис: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TPC6107(TE85L,F,M)

TPC6107(TE85L,F,M)

Опис: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.