Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > TK30E06N1,S1X
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4433420Зображення TK30E06N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage

TK30E06N1,S1X

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.14
50+
$0.881
100+
$0.767
500+
$0.568
1000+
$0.454
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    TK30E06N1,S1X
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    TK30E06N1,S1X.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220
  • Серія
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    53W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3
  • Інші імена
    TK30E06N1,S1X(S
    TK30E06N1S1X
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1050pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 43A (Ta) 53W (Tc) Through Hole TO-220
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    43A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "TK30E06N1,S1X".
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

Опис: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31N60W,S1VF

TK31N60W,S1VF

Опис: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK3

TK3

Опис: TERMINAL KIT P184 10EA T49

Виробники: Vector Electronics & Technology, Inc.
В наявності
RFQ
TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Опис: MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ

Опис: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

Опис: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK3434

TK3434

Опис: HOME TAPE KIT - PREMIUM

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
TK30A06N1,S4X

TK30A06N1,S4X

Опис: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK30S06K3L(T6L1,NQ

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Опис: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ

Опис: MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ

Опис: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK32A12N1,S4X

TK32A12N1,S4X

Опис: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31J60W5,S1VQ

TK31J60W5,S1VQ

Опис: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

Опис: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F

Опис: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK34A10N1,S4X

TK34A10N1,S4X

Опис: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31A60W,S4VX

TK31A60W,S4VX

Опис: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31E60X,S1X

TK31E60X,S1X

Опис: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX

Опис: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Опис: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.