Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > TK100A06N1,S4X
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1288829Зображення TK100A06N1,S4XToshiba Semiconductor and Storage

TK100A06N1,S4X

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$3.15
50+
$2.542
100+
$2.287
500+
$1.779
1000+
$1.474
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    TK100A06N1,S4X
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    TK100A06N1,S4X.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220SIS
  • Серія
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.7 mOhm @ 50A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    45W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Інші імена
    TK100A06N1,S4X(S
    TK100A06N1,S4X-ND
    TK100A06N1S4X
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    10500pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "TK100A06N1,S4X".
TK100E10N1,S1X

TK100E10N1,S1X

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A TO220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK100A08N1,S4X

TK100A08N1,S4X

Опис: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK1-L2-12V

TK1-L2-12V

Опис: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
TK1-L2-5V

TK1-L2-5V

Опис: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
TK1-L2-3V

TK1-L2-3V

Опис: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
TK10A60D(STA4,Q,M)

TK10A60D(STA4,Q,M)

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK100E06N1,S1X

TK100E06N1,S1X

Опис: MOSFET N CH 60V 100A TO-220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK100A10N1,S4X

TK100A10N1,S4X

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK1-L-H-3V

TK1-L-H-3V

Опис: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
TK1-L2-9V

TK1-L2-9V

Опис: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
TK1-L2-1.5V

TK1-L2-1.5V

Опис: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M)

Опис: MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK10A55D(STA4,Q,M)

TK10A55D(STA4,Q,M)

Опис: MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK1005800000G

TK1005800000G

Опис: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Виробники: Anytek (Amphenol Anytek)
В наявності
RFQ
TK1-L2-4.5V

TK1-L2-4.5V

Опис: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
TK1-L2-24V

TK1-L2-24V

Опис: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ

Опис: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK1-L2-6V

TK1-L2-6V

Опис: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
TK100S04N1L,LQ

TK100S04N1L,LQ

Опис: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
TK100E08N1,S1X

TK100E08N1,S1X

Опис: MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.