Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > RN2601(TE85L,F)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1577459Зображення RN2601(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

RN2601(TE85L,F)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.57
10+
$0.409
25+
$0.318
100+
$0.241
250+
$0.17
500+
$0.136
1000+
$0.104
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN2601(TE85L,F)
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN2601(TE85L,F).pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    SM6
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    4.7 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    4.7 kOhms
  • Потужність - Макс
    300mW
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Інші імена
    RN2601(TE85LF)CT
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    200MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN2601(TE85L,F)".
RN2504(TE85L,F)

RN2504(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2507(TE85L,F)

RN2507(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2502(TE85L,F)

RN2502(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN262GT2R

RN262GT2R

Опис: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2510(TE85L,F)

RN2510(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2511(TE85L,F)

RN2511(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2503(TE85L,F)

RN2503(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2506(TE85L,F)

RN2506(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN25E-I/RM

RN25E-I/RM

Опис: RF TXRX MODULE BLUETOOTH SMA ANT

Виробники: Micrel / Microchip Technology
В наявності
RFQ
RN2505TE85LF

RN2505TE85LF

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Опис: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN25S-I/RM

RN25S-I/RM

Опис: RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT

Виробники: Micrel / Microchip Technology
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.