Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN2316(TE85L,F)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6364207Зображення RN2316(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.048
6000+
$0.042
15000+
$0.036
30000+
$0.034
75000+
$0.032
150000+
$0.028
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN2316(TE85L,F)
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN2316(TE85L,F).pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    USM
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    10 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    4.7 kOhms
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Інші імена
    RN2316(TE85LF)
    RN2316(TE85LF)-ND
    RN2316(TE85LF)TR
    RN2316TE85LF
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    200MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базової частини
    RN231*

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN2316(TE85L,F)".
RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN232-1.6-02

RN232-1.6-02

Опис: COMMON MODE CHOKE 10MH 1.6A

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN232-2.5-02-5M6

RN232-2.5-02-5M6

Опис: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN2310,LF

RN2310,LF

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN232-2.5-02

RN232-2.5-02

Опис: COMMON MODE CHOKE 5.6MH 2.5A

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN2318(TE85L,F)

RN2318(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2315TE85LF

RN2315TE85LF

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN232-0.6-02

RN232-0.6-02

Опис: COMMON MODE CHOKE 47MH 600MA

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN2314(TE85L,F)

RN2314(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2307(TE85L,F)

RN2307(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2308(TE85L,F)

RN2308(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2313(TE85L,F)

RN2313(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN232-1-02

RN232-1-02

Опис: COMMON MODE CHOKE 18MH 1A

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN232-1-02-18M

RN232-1-02-18M

Опис: CMC 18MH 1A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN2312(TE85L,F)

RN2312(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN232-1.6-02-10M

RN232-1.6-02-10M

Опис: CMC 10MH 1.6A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN2317(TE85L,F)

RN2317(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN232-0.6-02-47M

RN232-0.6-02-47M

Опис: CMC 47MH 600MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.