Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN2114MFV,L3F
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1241430

RN2114MFV,L3F

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
8000+
$0.032
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN2114MFV,L3F
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN2114MFV,L3F.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    VESM
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    10 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    1 kOhms
  • Потужність - Макс
    150mW
  • Пакет / Корпус
    SOT-723
  • Інші імена
    RN2114MFVL3F
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN2114MFV,L3F".
RN2118MFV(TPL3)

RN2118MFV(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2117(T5L,F,T)

RN2117(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN212-0.4-02

RN212-0.4-02

Опис: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN212-0.4-02-27M

RN212-0.4-02-27M

Опис: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2115,LF(CB

RN2115,LF(CB

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2115MFV,L3F

RN2115MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2111,LF(CB

RN2111,LF(CB

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2119MFV(TPL3)

RN2119MFV(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2116,LF(CT

RN2116,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2113CT(TPL3)

RN2113CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2117MFV,L3F

RN2117MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2118(T5L,F,T)

RN2118(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.