Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN2110MFV,L3F
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5936271

RN2110MFV,L3F

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
8000+
$0.032
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN2110MFV,L3F
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN2110MFV,L3F.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    VESM
  • Серія
    -
  • Резистор - база (R1)
    4.7 kOhms
  • Потужність - Макс
    150mW
  • Пакет / Корпус
    SOT-723
  • Інші імена
    RN2110MFVL3F
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN2110MFV,L3F".
RN2108ACT(TPL3)

RN2108ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2109CT(TPL3)

RN2109CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2113CT(TPL3)

RN2113CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2110,LF(CB

RN2110,LF(CB

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2109ACT(TPL3)

RN2109ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2111,LF(CB

RN2111,LF(CB

Опис: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2110CT(TPL3)

RN2110CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2108CT(TPL3)

RN2108CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2108(T5L,F,T)

RN2108(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.