Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN1427TE85LF
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6135268

RN1427TE85LF

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.111
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1427TE85LF
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN1427TE85LF.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 50mA
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    S-Mini
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    10 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    2.2 kOhms
  • Потужність - Макс
    200mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    RN1427(TE85L,F)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    11 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    300MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    90 @ 100mA, 1V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    800mA
  • Номер базової частини
    RN142*

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN1427TE85LF".
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN142-6-02

RN142-6-02

Опис: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN142STE61

RN142STE61

Опис: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN142-4-02-3M3

RN142-4-02-3M3

Опис: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN143-0.5-02

RN143-0.5-02

Опис: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN142GT2R

RN142GT2R

Опис: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN143-1-02

RN143-1-02

Опис: COMMON MODE CHOKE 47MH 1A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN142-4-02

RN142-4-02

Опис: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN142-6-02-1M8

RN142-6-02-1M8

Опис: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

Опис: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN142VTE-17

RN142VTE-17

Опис: DIODE PIN 60V UMD

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN143-1-02-47M

RN143-1-02-47M

Опис: CMC 47MH 1A 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

Опис: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN143-0.5-02-100M

RN143-0.5-02-100M

Опис: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Опис: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN142ZST2R

RN142ZST2R

Опис: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.