Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN1117MFV,L3F
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1758054Зображення RN1117MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
8000+
$0.029
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1117MFV,L3F
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN1117MFV,L3F.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    VESM
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    4.7 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    10 kOhms
  • Потужність - Макс
    150mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-723
  • Інші імена
    RN1117MFVL3F
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    250MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN1117MFV,L3F".
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

Опис: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Опис: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN112-0.5-02-18M

RN112-0.5-02-18M

Опис: CMC 18MH 500MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN112-0.5-02

RN112-0.5-02

Опис: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

Опис: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN112-0.5-02-15M

RN112-0.5-02-15M

Опис: CMC 15MH 500MA 2LN TH

Виробники: Schaffner EMC, Inc.
В наявності
RFQ
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN111PC

RN111PC

Опис: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Виробники: Conxall / Switchcraft
В наявності
RFQ
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.