Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN1110MFV,L3F
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3197431Зображення RN1110MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
8000+
$0.029
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1110MFV,L3F
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN1110MFV,L3F.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    VESM
  • Серія
    -
  • Резистор - база (R1)
    4.7 kOhms
  • Потужність - Макс
    150mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-723
  • Інші імена
    RN1110MFV(TL3,T)
    RN1110MFV(TL3T)TR
    RN1110MFV(TL3T)TR-ND
    RN1110MFV,L3F(B
    RN1110MFV,L3F(T
    RN1110MFVL3F
    RN1110MFVL3F-ND
    RN1110MFVL3FTR
    RN1110MFVTL3T
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN1110MFV,L3F".
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1110,LF(CT

RN1110,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1110CT(TPL3)

RN1110CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1108CT(TPL3)

RN1108CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1111,LF(CT

RN1111,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1110ACT(TPL3)

RN1110ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

Опис: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1111CT(TPL3)

RN1111CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1109,LF(CT

RN1109,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.