Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > RN1106MFV,L3F
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4268777Зображення RN1106MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
8000+
$0.027
16000+
$0.023
24000+
$0.021
56000+
$0.018
200000+
$0.015
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1106MFV,L3F
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS NPN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN1106MFV,L3F.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    VESM
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    4.7 kOhms
  • Потужність - Макс
    150mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-723
  • Інші імена
    RN1106MFV,L3F(B
    RN1106MFV,L3F(T
    RN1106MFVL3F
    RN1106MFVL3F(B
    RN1106MFVL3F(T
    RN1106MFVL3F-ND
    RN1106MFVL3FTR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN1106MFV,L3F".
RN1108CT(TPL3)

RN1108CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1104T5LFT

RN1104T5LFT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1107,LF(CT

RN1107,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1106CT(TPL3)

RN1106CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1105CT(TPL3)

RN1105CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1107ACT(TPL3)

RN1107ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1105,LF(CT

RN1105,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1109,LF(CT

RN1109,LF(CT

Опис: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1107CT(TPL3)

RN1107CT(TPL3)

Опис: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.