Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > TC58BYG0S3HBAI6
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2626916Зображення TC58BYG0S3HBAI6Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI6

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$3.21
10+
$2.885
25+
$2.84
50+
$2.832
100+
$2.53
338+
$2.448
676+
$2.439
1014+
$2.272
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    TC58BYG0S3HBAI6
  • Виробник / марка
    Kioxia America, Inc.
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    TC58BYG0S3HBAI6.pdf
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    25ns
  • Напруга - Постачання
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Технологія
    FLASH - NAND (SLC)
  • Пакет пристрою постачальника
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Серія
    Benand™
  • Упаковка
    Tray
  • Пакет / Корпус
    67-VFBGA
  • Інші імена
    TC58BYG0S3HBAI6JDH
    TC58BYG0S3HBAI6YCJ
  • Робоча температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Non-Volatile
  • Розмір пам'яті
    1Gb (128M x 8)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    FLASH
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Час доступу
    25ns

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "TC58BYG0S3HBAI6".
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Опис: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Опис: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Опис: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Опис: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Опис: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Опис: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Опис: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BVG0S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00

Опис: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Опис: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Опис: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Опис: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Опис: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Опис: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Опис: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Опис: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Опис: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Опис: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Опис: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0

Опис: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Опис: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Виробники: Toshiba Memory America, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.