Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > US1M R3G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
353764Зображення US1M R3GTSC (Taiwan Semiconductor)

US1M R3G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1800+
$0.087
3600+
$0.075
5400+
$0.068
12600+
$0.06
45000+
$0.057
90000+
$0.05
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    US1M R3G
  • Виробник / марка
    Taiwan Semiconductor
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    US1M R3G.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.7V @ 1A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    1000V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-214AC (SMA)
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Зворотний час відновлення (trr)
    75ns
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Інші імена
    US1M R3GTR
    US1M R3GTR-ND
    US1MR3GTR
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    23 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "US1M R3G".
US1M-M3/5AT

US1M-M3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1KHM2G

US1KHM2G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
US1M-E3/61T

US1M-E3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1KHE3/5AT

US1KHE3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1KSAFS-13

US1KSAFS-13

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA-FS

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
US1KHR3G

US1KHR3G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
US1M-M3/61T

US1M-M3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1KFA

US1KFA

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
US1M M2G

US1M M2G

Опис: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
US1K-TP

US1K-TP

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
US1KHE3/61T

US1KHE3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1MDFQ-13

US1MDFQ-13

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1KHE3_A/H

US1KHE3_A/H

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1M-13-F

US1M-13-F

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
US1MDF-13

US1MDF-13

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
US1M-TP

US1M-TP

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
US1KHE3_A/I

US1KHE3_A/I

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1M/1

US1M/1

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1M-13

US1M-13

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.