Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > US1J R3G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1863444Зображення US1J R3GTSC (Taiwan Semiconductor)

US1J R3G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.52
10+
$0.373
100+
$0.22
500+
$0.124
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    US1J R3G
  • Виробник / марка
    Taiwan Semiconductor
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    US1J R3G.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.7V @ 1A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    600V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-214AC (SMA)
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Зворотний час відновлення (trr)
    75ns
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Інші імена
    US1J R3GCT
    US1J R3GCT-ND
    US1JR3GCT
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    17 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    5µA @ 600V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "US1J R3G".
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1G/1

US1G/1

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1GHM2G

US1GHM2G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1GFA

US1GFA

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
US1GWF-7

US1GWF-7

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
US1J/1

US1J/1

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
US1J-13

US1J-13

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Опис: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.