Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > UG58GHB0G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4060497Зображення UG58GHB0GTSC (Taiwan Semiconductor)

UG58GHB0G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.187
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    UG58GHB0G
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    2.1V @ 5A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    600V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-201AD
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Зворотний час відновлення (trr)
    20ns
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    14 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 600V 5A Through Hole DO-201AD
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    30µA @ 600V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    5A
  • Ємність @ Vr, F
    -
UG5JTHE3/45

UG5JTHE3/45

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
UG58GHA0G

UG58GHA0G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG56G B0G

UG56G B0G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG5HT-E3/45

UG5HT-E3/45

Опис: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
UG56GHR0G

UG56GHR0G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG54GHA0G

UG54GHA0G

Опис: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG56GHA0G

UG56GHA0G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG58G B0G

UG58G B0G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG58G A0G

UG58G A0G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG5J C0G

UG5J C0G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG5HTHE3/45

UG5HTHE3/45

Опис: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
UG58G R0G

UG58G R0G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG56GHB0G

UG56GHB0G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG56G R0G

UG56G R0G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG5JT-E3/45

UG5JT-E3/45

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
UG56G A0G

UG56G A0G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG54GHB0G

UG54GHB0G

Опис: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG5JHC0G

UG5JHC0G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG58GHR0G

UG58GHR0G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
UG54GHR0G

UG54GHR0G

Опис: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти