Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > S12JCHM6G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6087568Зображення S12JCHM6GTSC (Taiwan Semiconductor)

S12JCHM6G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
6000+
$0.167
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    S12JCHM6G
  • Виробник / марка
    Taiwan Semiconductor
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    S12JCHM6G.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.1V @ 12A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    600V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-214AB (SMC)
  • Швидкість
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-214AB, SMC
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    40 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 600V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    1µA @ 600V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    12A
  • Ємність @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "S12JCHM6G".
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12JR

S12JR

Опис: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
S12J

S12J

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
S12GR

S12GR

Опис: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12JC V7G

S12JC V7G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12JC V6G

S12JC V6G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12GC V7G

S12GC V7G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12K

S12K

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
S12GC V6G

S12GC V6G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12KC V7G

S12KC V7G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12KR

S12KR

Опис: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
S12JC R7G

S12JC R7G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12JC M6G

S12JC M6G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12KC V6G

S12KC V6G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.