Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > RS1DLHRUG
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2478129Зображення RS1DLHRUGTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLHRUG

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
21600+
$0.049
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RS1DLHRUG
  • Виробник / марка
    Taiwan Semiconductor
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RS1DLHRUG.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.3V @ 800mA
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    200V
  • Пакет пристрою постачальника
    Sub SMA
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Зворотний час відновлення (trr)
    150ns
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-219AB
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    21 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    5µA @ 200V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    800mA
  • Ємність @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RS1DLHRUG".
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Опис: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Опис: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1DL RVG

RS1DL RVG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1DLHM2G

RS1DLHM2G

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Виробники: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
В наявності
RFQ
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Опис: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Опис: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.