Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > ESH1B M2G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4128961Зображення ESH1B M2GTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH1B M2G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
15000+
$0.069
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    ESH1B M2G
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    900mV @ 1A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    100V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-214AC (SMA)
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Зворотний час відновлення (trr)
    15ns
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Інші імена
    ESH1B M2G-ND
    ESH1BM2G
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 175°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    1µA @ 100V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz
ESH158M035AM7AA

ESH158M035AM7AA

Опис: CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL

Виробники: KEMET
В наявності
ESH108M063AM2AA

ESH108M063AM2AA

Опис: CAP ALUM 1000UF 20% 63V T/H

Виробники: KEMET
В наявності
ESH1B R3G

ESH1B R3G

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ESH1C M2G

ESH1C M2G

Опис: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ESH1B-E3/5AT

ESH1B-E3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
ESH1C-E3/5AT

ESH1C-E3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
ESH108M025AL3AA

ESH108M025AL3AA

Опис: CAP ALUM 1000UF 20% 25V RADIAL

Виробники: KEMET
В наявності
ESH108M025AH4AA

ESH108M025AH4AA

Опис: CAP ALUM 1000UF 20% 25V T/H

Виробники: KEMET
В наявності
ESH1BHE3_A/H

ESH1BHE3_A/H

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
ESH108M050AL4AA

ESH108M050AL4AA

Опис: CAP ALUM 1000UF 20% 50V RADIAL

Виробники: KEMET
В наявності
ESH1BHE3_A/I

ESH1BHE3_A/I

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
ESH1B-E3/61T

ESH1B-E3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
ESH1B-M3/61T

ESH1B-M3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
ESH157M450AN7AA

ESH157M450AN7AA

Опис: CAP ALUM 150UF 20% 450V T/H

Виробники: KEMET
В наявності
ESH1B-M3/5AT

ESH1B-M3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
ESH108M6R3AH1AA

ESH108M6R3AH1AA

Опис: CAP ALUM 1000UF 20% 6.3V RADIAL

Виробники: KEMET
В наявності
ESH108M016AH4AA

ESH108M016AH4AA

Опис: CAP ALUM 1000UF 20% 16V RADIAL

Виробники: KEMET
В наявності
ESH108M050AM7AA

ESH108M050AM7AA

Опис: CAP ALUM 1000UF 20% 50V RADIAL

Виробники: KEMET
В наявності
ESH1C R3G

ESH1C R3G

Опис: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ESH108M035AL3AA

ESH108M035AL3AA

Опис: CAP ALUM 1000UF 20% 35V T/H

Виробники: KEMET
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти