Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > ES1JLHMHG
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4822660Зображення ES1JLHMHGTSC (Taiwan Semiconductor)

ES1JLHMHG

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
20000+
$0.079
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    ES1JLHMHG
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.7V @ 1A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    600V
  • Пакет пристрою постачальника
    Sub SMA
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Зворотний час відновлення (trr)
    35ns
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-219AB
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    21 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    5µA @ 600V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
ES1JLHRFG

ES1JLHRFG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JL RHG

ES1JL RHG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JL MQG

ES1JL MQG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JL MTG

ES1JL MTG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JL RQG

ES1JL RQG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JLHM2G

ES1JLHM2G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JLW RVG

ES1JLW RVG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JLHRVG

ES1JLHRVG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JLHRHG

ES1JLHRHG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JLHRQG

ES1JLHRQG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JL R3G

ES1JL R3G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JL RTG

ES1JL RTG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JLHMTG

ES1JLHMTG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JL RUG

ES1JL RUG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JLHRUG

ES1JLHRUG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JLHRTG

ES1JLHRTG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JLHR3G

ES1JLHR3G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JLHMQG

ES1JLHMQG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JL RVG

ES1JL RVG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
ES1JL RFG

ES1JL RFG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти