Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > 1N5407TA
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6803048Зображення 1N5407TASensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

1N5407TA

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
12500+
$0.051
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    1N5407TA
  • Виробник / марка
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1N5407TA.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.2V @ 3A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    800V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-201AD
  • Швидкість
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Інші імена
    1N5407TASMC
  • Робоча температура - з'єднання
    -65°C ~ 175°C
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    6 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    5µA @ 800V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    3A
  • Ємність @ Vr, F
    30pF @ 0V, 1MHz

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "1N5407TA".
1N5408-E3/51

1N5408-E3/51

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N5408-E3/73

1N5408-E3/73

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N5408G

1N5408G

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N5408-T

1N5408-T

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
1N5408

1N5408

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N5407G-T

1N5407G-T

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N5408G A0G

1N5408G A0G

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N5408-G

1N5408-G

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Виробники: Comchip Technology
В наявності
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
RFQ
1N5408-E3/54

1N5408-E3/54

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N5408-B

1N5408-B

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
1N5408-TP

1N5408-TP

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.