Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > PMIC - Управління акумулятором > S-8261ABMMD-G3MT2G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6376979

S-8261ABMMD-G3MT2G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.334
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    S-8261ABMMD-G3MT2G
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-6
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6
  • Робоча температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Кількість клітин
    1
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Інтерфейс
    -
  • Функція
    Battery Protection
  • Захист від помилок
    Over Current, Short Circuit
  • Детальний опис
    Battery Battery Protection IC Lithium Ion/Polymer SOT-23-6
  • Хімія акумулятора
    Lithium Ion/Polymer
S-8261ABMMD-G3MT2U

S-8261ABMMD-G3MT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABRMD-G3RT2U

S-8261ABRMD-G3RT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABLMD-G3LT2U

S-8261ABLMD-G3LT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABJMD-G3JT2U

S-8261ABJMD-G3JT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABIBD-G3ITFG

S-8261ABIBD-G3ITFG

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABIMD-G3IT2G

S-8261ABIMD-G3IT2G

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABIMD-G3IT2U

S-8261ABIMD-G3IT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABJMD-G3JT2G

S-8261ABJMD-G3JT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABKMD-G3KT2U

S-8261ABKMD-G3KT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABNMD-G3NT2G

S-8261ABNMD-G3NT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABKMD-G3KT2G

S-8261ABKMD-G3KT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABLBD-G3LTFG

S-8261ABLBD-G3LTFG

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABNMD-G3NT2U

S-8261ABNMD-G3NT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABSMD-G3ST2U

S-8261ABSMD-G3ST2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABPMD-G3PT2G

S-8261ABPMD-G3PT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABPMD-G3PT2U

S-8261ABPMD-G3PT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABRMD-G3RT2G

S-8261ABRMD-G3RT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABSMD-G3ST2G

S-8261ABSMD-G3ST2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABLMD-G3LT2G

S-8261ABLMD-G3LT2G

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261ABOBD-G3OTFG

S-8261ABOBD-G3OTFG

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти