Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > PMIC - Управління акумулятором > S-8261AAPMD-G2PT2G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
80069

S-8261AAPMD-G2PT2G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.334
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    S-8261AAPMD-G2PT2G
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-6
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6
  • Робоча температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Кількість клітин
    1
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Інтерфейс
    -
  • Функція
    Battery Protection
  • Захист від помилок
    Over Current, Short Circuit
  • Детальний опис
    Battery Battery Protection IC Lithium Ion/Polymer SOT-23-6
  • Хімія акумулятора
    Lithium Ion/Polymer
S-8261AARBD-G2RTFG

S-8261AARBD-G2RTFG

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AAMMD-G2MT2U

S-8261AAMMD-G2MT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AARMD-G2RT2U

S-8261AARMD-G2RT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AATMD-G2TT2G

S-8261AATMD-G2TT2G

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AARMD-G2RT2G

S-8261AARMD-G2RT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AATMD-G2TT2U

S-8261AATMD-G2TT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AANMD-G2NT2G

S-8261AANMD-G2NT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AAMMD-G2MT2G

S-8261AAMMD-G2MT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AASMD-G2ST2G

S-8261AASMD-G2ST2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AAPMD-G2PT2U

S-8261AAPMD-G2PT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AAUMD-G2UT2U

S-8261AAUMD-G2UT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AAOMD-G2OT2U

S-8261AAOMD-G2OT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AALMD-G2LT2U

S-8261AALMD-G2LT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AAJMD-G2JT2U

S-8261AAJMD-G2JT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AALMD-G2LT2G

S-8261AALMD-G2LT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AAUMD-G2UT2G

S-8261AAUMD-G2UT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AASMD-G2ST2U

S-8261AASMD-G2ST2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AAOMD-G2OT2G

S-8261AAOMD-G2OT2G

Опис: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AAJMD-G2JT2G

S-8261AAJMD-G2JT2G

Опис: IC BATT PROTECTION 1CELL SOT23-6

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності
S-8261AANMD-G2NT2U

S-8261AANMD-G2NT2U

Опис: IC BATT PROTECTION

Виробники: SII Semiconductor Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти