Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > RF / IF та RFID > Підсилювачі РФ > RF5110GTR7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
869134Зображення RF5110GTR7RFMD

RF5110GTR7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$3.367
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RF5110GTR7
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напруга - розбивка
    16-QFN (3x3)
  • Частота випробувань
    GSM, GPRS
  • Стиль Shell
    2.7 V ~ 4.8 V
  • Серія
    -
  • Статус RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Тип РФ
    -
  • Поляризація
    16-VFQFN Exposed Pad
  • Інші імена
    5110G
    689-1030-2
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    2 (1 Year)
  • Час виробництва виробника
    12 Weeks
  • Номер деталі виробника
    RF5110GTR7
  • Частотні групи
    -
  • Частота
    800MHz ~ 950MHz
  • Тип FET
    32dB
  • Розгорнутий опис
    RF Amplifier IC GSM, GPRS 800MHz ~ 950MHz 16-QFN (3x3)
  • Опис
    IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN
  • Поточний - тест
    -
  • Поточний - Постачання
    15mA ~ 335mA
RF5500

RF5500

Опис: IC SWITCH WLAN SP3T 8DFN

Виробники: RFMD
В наявності
RF505B6STL

RF505B6STL

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RF505BM6SFHTL

RF505BM6SFHTL

Опис: SUPER FAST RECOVERY DIODES

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RF501BM2SFHTL

RF501BM2SFHTL

Опис: SUPER FAST RECOVERY DIODES

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RF5187TR7

RF5187TR7

Опис: IC AMP UMTS 800MHZ-2.5GHZ 8SOIC

Виробники: RFMD
В наявності
RF505TF6S

RF505TF6S

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RF501B6STL

RF501B6STL

Опис: DIODE GEN PURPOSE CPD

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RF501PS2STB

RF501PS2STB

Опис: DIODE GEN PURP 200V 5A 8TSOP

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RF5122

RF5122

Опис: IC AMP 802.11B/G/N 2.4GHZ 8QFN

Виробники: RFMD
В наявності
RF5516

RF5516

Опис: IC SWITCH WLAN SP2T

Виробники: RFMD
В наявності
RF5652

RF5652

Опис: IC RF AMP WIMAX 2.4GHZ 32QFN

Виробники: RFMD
В наявності
RF5740

RF5740

Опис: SCOTCH OUTDOOR FASTENERS RF5740

Виробники: 3M
В наявності
RF5373

RF5373

Опис: IC AMP 802.11B/G/N 2.4GHZ 8QFN

Виробники: RFMD
В наявності
RF5731

RF5731

Опис: SCOTCH OUTDOOR FASTENERS RF5731

Виробники: 3M
В наявності
RF501BM2STL

RF501BM2STL

Опис: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RF5730

RF5730

Опис: SCOTCH OUTDOOR FASTENERS RF5730

Виробники: 3M
В наявності
RF5110G

RF5110G

Опис: IC AMP GSM 800MHZ-950MHZ 16QFN

Виробники: RFMD
В наявності
RF5626

RF5626

Опис: IC RF AMP 4.9GHZ-5.85GHZ

Виробники: RFMD
В наявності
RF5110GPCK-410

RF5110GPCK-410

Опис: KIT EVAL FOR RF5110G

Виробники: RFMD
В наявності
RF505BM6STL

RF505BM6STL

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти