Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXSMCJ58AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4732905Зображення MXSMCJ58AE3Microsemi Corporation

MXSMCJ58AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
100+
$17.84
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXSMCJ58AE3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MXSMCJ58AE3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    64.4V
  • Напруга - розподіл (мін)
    58V
  • Напруга - розбивка
    DO-214AB (SMCJ)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    16A
  • Поляризація
    DO-214AB, SMC
  • Інші імена
    1086-14610
    1086-14610-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Номер деталі виробника
    MXSMCJ58AE3
  • Опис
    TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    93.6V
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    No

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MXSMCJ58AE3".
MXSMCJ51AE3

MXSMCJ51AE3

Опис: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ51A

MXSMCJ51A

Опис: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ58A

MXSMCJ58A

Опис: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ6.5A

MXSMCJ6.5A

Опис: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ54AE3

MXSMCJ54AE3

Опис: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ51A/TR

MXSMCJ51A/TR

Опис: HI REL TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ58CA

MXSMCJ58CA

Опис: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ51CA

MXSMCJ51CA

Опис: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ58CAE3

MXSMCJ58CAE3

Опис: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ6.0A

MXSMCJ6.0A

Опис: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ6.0CA

MXSMCJ6.0CA

Опис: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ51CAE3

MXSMCJ51CAE3

Опис: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ6.0AE3

MXSMCJ6.0AE3

Опис: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ6.0CAE3

MXSMCJ6.0CAE3

Опис: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ54CAE3

MXSMCJ54CAE3

Опис: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ54CA

MXSMCJ54CA

Опис: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ54A

MXSMCJ54A

Опис: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ6.5CA

MXSMCJ6.5CA

Опис: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ6.5AE3

MXSMCJ6.5AE3

Опис: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ58AE3/TR

MXSMCJ58AE3/TR

Опис: HI REL TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.