Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXSMCJ100AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6976520Зображення MXSMCJ100AE3Microsemi Corporation

MXSMCJ100AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
100+
$17.84
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXSMCJ100AE3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MXSMCJ100AE3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    111V
  • Напруга - розподіл (мін)
    100V
  • Напруга - розбивка
    DO-214AB (SMCJ)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    9.3A
  • Поляризація
    DO-214AB, SMC
  • Інші імена
    1086-14486
    1086-14486-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MXSMCJ100AE3
  • Опис
    TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    162V
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    No

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MXSMCJ100AE3".
MXSMCJ110CA

MXSMCJ110CA

Опис: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCGLCE8.5A

MXSMCGLCE8.5A

Опис: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCGLCE90A

MXSMCGLCE90A

Опис: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ110CAE3

MXSMCJ110CAE3

Опис: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ10CA

MXSMCJ10CA

Опис: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCGLCE80A

MXSMCGLCE80A

Опис: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCGLCE8.0AE3

MXSMCGLCE8.0AE3

Опис: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCGLCE9.0A

MXSMCGLCE9.0A

Опис: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCGLCE8.5AE3

MXSMCGLCE8.5AE3

Опис: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ100CAE3

MXSMCJ100CAE3

Опис: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ100A

MXSMCJ100A

Опис: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ100CA

MXSMCJ100CA

Опис: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ110A

MXSMCJ110A

Опис: TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ10A

MXSMCJ10A

Опис: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCGLCE80AE3

MXSMCGLCE80AE3

Опис: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ110AE3

MXSMCJ110AE3

Опис: TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXSMCJ10CAE3

MXSMCJ10CAE3

Опис: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCGLCE90AE3

MXSMCGLCE90AE3

Опис: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCGLCE9.0AE3

MXSMCGLCE9.0AE3

Опис: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXSMCJ10AE3

MXSMCJ10AE3

Опис: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.