Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXLSMCGLCE9.0AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5555607

MXLSMCGLCE9.0AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXLSMCGLCE9.0AE3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MXLSMCGLCE9.0AE3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    10V
  • Напруга - розподіл (мін)
    9V
  • Напруга - розбивка
    SMCG (DO-215AB)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    97A
  • Поляризація
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Інші імена
    1086-12038
    1086-12038-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MXLSMCGLCE9.0AE3
  • Опис
    TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    15.4V
  • Потужність @ Частота
    100pF @ 1MHz
  • Двонаправлені канали
    No

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MXLSMCGLCE9.0AE3".
MXLSMCGLCE8.0A

MXLSMCGLCE8.0A

Опис: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE9.0A

MXLSMCGLCE9.0A

Опис: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE80AE3

MXLSMCGLCE80AE3

Опис: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCJ10CAE3

MXLSMCJ10CAE3

Опис: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE8.0AE3

MXLSMCGLCE8.0AE3

Опис: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE80A

MXLSMCGLCE80A

Опис: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE75AE3

MXLSMCGLCE75AE3

Опис: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE8.5A

MXLSMCGLCE8.5A

Опис: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCJ10CA

MXLSMCJ10CA

Опис: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCJ100CAE3

MXLSMCJ100CAE3

Опис: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE75A

MXLSMCGLCE75A

Опис: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCJ10AE3

MXLSMCJ10AE3

Опис: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCJ100AE3

MXLSMCJ100AE3

Опис: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCJ100CA

MXLSMCJ100CA

Опис: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE8.5AE3

MXLSMCGLCE8.5AE3

Опис: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE70AE3

MXLSMCGLCE70AE3

Опис: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE90A

MXLSMCGLCE90A

Опис: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCJ100A

MXLSMCJ100A

Опис: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCJ10A

MXLSMCJ10A

Опис: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE90AE3

MXLSMCGLCE90AE3

Опис: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.