Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXLSMCGLCE28AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5484849

MXLSMCGLCE28AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXLSMCGLCE28AE3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 28VWM 45.5VC DO215AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MXLSMCGLCE28AE3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    31.1V
  • Напруга - розподіл (мін)
    28V
  • Напруга - розбивка
    SMCG (DO-215AB)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    33A
  • Поляризація
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Інші імена
    1086-11996
    1086-11996-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MXLSMCGLCE28AE3
  • Опис
    TVS DIODE 28VWM 45.5VC DO215AB
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    45.5V
  • Потужність @ Частота
    100pF @ 1MHz
  • Двонаправлені канали
    No

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MXLSMCGLCE28AE3".
MXLSMCGLCE22AE3

MXLSMCGLCE22AE3

Опис: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE26AE3

MXLSMCGLCE26AE3

Опис: TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE40AE3

MXLSMCGLCE40AE3

Опис: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE28A

MXLSMCGLCE28A

Опис: TVS DIODE 28VWM 45.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE43A

MXLSMCGLCE43A

Опис: TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE33A

MXLSMCGLCE33A

Опис: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE36A

MXLSMCGLCE36A

Опис: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE40A

MXLSMCGLCE40A

Опис: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE24A

MXLSMCGLCE24A

Опис: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE33AE3

MXLSMCGLCE33AE3

Опис: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE43AE3

MXLSMCGLCE43AE3

Опис: TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE26A

MXLSMCGLCE26A

Опис: TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE30AE3

MXLSMCGLCE30AE3

Опис: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE20AE3

MXLSMCGLCE20AE3

Опис: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE18AE3

MXLSMCGLCE18AE3

Опис: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE30A

MXLSMCGLCE30A

Опис: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE24AE3

MXLSMCGLCE24AE3

Опис: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE22A

MXLSMCGLCE22A

Опис: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE36AE3

MXLSMCGLCE36AE3

Опис: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE20A

MXLSMCGLCE20A

Опис: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.