Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MXLSMCGLCE10AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1646762

MXLSMCGLCE10AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MXLSMCGLCE10AE3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MXLSMCGLCE10AE3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    11.1V
  • Напруга - розподіл (мін)
    10V
  • Напруга - розбивка
    SMCG (DO-215AB)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    1500W (1.5kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    88A
  • Поляризація
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Інші імена
    1086-11958
    1086-11958-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MXLSMCGLCE10AE3
  • Опис
    TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    17V
  • Потужність @ Частота
    100pF @ 1MHz
  • Двонаправлені канали
    No

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MXLSMCGLCE10AE3".
MXLSMCGLCE100AE3

MXLSMCGLCE100AE3

Опис: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCG90CAE3

MXLSMCG90CAE3

Опис: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE110A

MXLSMCGLCE110A

Опис: TVS DIODE 110VWM 178VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE130A

MXLSMCGLCE130A

Опис: TVS DIODE 130VWM 209VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCG9.0CA

MXLSMCG9.0CA

Опис: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE100A

MXLSMCGLCE100A

Опис: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCG9.0CAE3

MXLSMCG9.0CAE3

Опис: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE120AE3

MXLSMCGLCE120AE3

Опис: TVS DIODE 120VWM 193VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCG90AE3

MXLSMCG90AE3

Опис: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE120A

MXLSMCGLCE120A

Опис: TVS DIODE 120VWM 193VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE110AE3

MXLSMCGLCE110AE3

Опис: TVS DIODE 110VWM 178VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCG9.0AE3

MXLSMCG9.0AE3

Опис: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE10A

MXLSMCGLCE10A

Опис: TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE11A

MXLSMCGLCE11A

Опис: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE11AE3

MXLSMCGLCE11AE3

Опис: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE130AE3

MXLSMCGLCE130AE3

Опис: TVS DIODE 130VWM 209VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE12AE3

MXLSMCGLCE12AE3

Опис: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCGLCE12A

MXLSMCGLCE12A

Опис: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AB

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MXLSMCG90CA

MXLSMCG90CA

Опис: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MXLSMCG90A

MXLSMCG90A

Опис: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.