Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MSMBJ12AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1078903Зображення MSMBJ12AE3Microsemi

MSMBJ12AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.01
10+
$1.817
25+
$1.622
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MSMBJ12AE3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MSMBJ12AE3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    12V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    19.9V
  • Напруга - розподіл (мін)
    13.3V
  • Однонаправлені канали
    1
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    SMBJ (DO-214AA)
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    600W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    DO-214AA, SMB
  • Інші імена
    1086-8016
    1086-8016-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    30.2A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Програми
    General Purpose

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MSMBJ12AE3".
MSMBJ11CAE3

MSMBJ11CAE3

Опис: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ12AE3/TR

MSMBJ12AE3/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ11CA/TR

MSMBJ11CA/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ12A/TR

MSMBJ12A/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ12CAE3/TR

MSMBJ12CAE3/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ120A/TR

MSMBJ120A/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ130A

MSMBJ130A

Опис: TVS DIODE 130V 209V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ130AE3

MSMBJ130AE3

Опис: TVS DIODE 130V 209V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ12CA

MSMBJ12CA

Опис: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ12CA/TR

MSMBJ12CA/TR

Опис: TVS

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ120CAE3

MSMBJ120CAE3

Опис: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ120A

MSMBJ120A

Опис: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ130CAE3

MSMBJ130CAE3

Опис: TVS DIODE 130V 209V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ12CAE3

MSMBJ12CAE3

Опис: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ12A

MSMBJ12A

Опис: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ13A

MSMBJ13A

Опис: TVS DIODE 13V 21.5V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ120CA

MSMBJ120CA

Опис: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ11CA

MSMBJ11CA

Опис: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBJ120AE3

MSMBJ120AE3

Опис: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBJ130CA

MSMBJ130CA

Опис: TVS DIODE 130V 209V DO214AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.