Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MSMBG2K4.0E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2000059Зображення MSMBG2K4.0E3Microsemi Corporation

MSMBG2K4.0E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MSMBG2K4.0E3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MSMBG2K4.0E3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    5V
  • Напруга - розподіл (мін)
    4V
  • Напруга - розбивка
    SMBG (DO-215AA)
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    2000W (2kW)
  • Потужність - пік імпульсу
    10A (8/20µs)
  • Поляризація
    DO-215AA, SMB Gull Wing
  • Інші імена
    1086-7890
    1086-7890-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MSMBG2K4.0E3
  • Опис
    TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    6.3V
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    No

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MSMBG2K4.0E3".
MSMBG2K4.5E3

MSMBG2K4.5E3

Опис: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO215AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBG2K3.0

MSMBG2K3.0

Опис: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBG30AE3

MSMBG30AE3

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG28CA

MSMBG28CA

Опис: TVS DIODE 28V 45.4V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG28A

MSMBG28A

Опис: TVS DIODE 28V 45.4V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG2K4.5

MSMBG2K4.5

Опис: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO215AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBG28AE3

MSMBG28AE3

Опис: TVS DIODE 28V 45.4V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG2K5.0E3

MSMBG2K5.0E3

Опис: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO215AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBG33AE3

MSMBG33AE3

Опис: TVS DIODE 33V 53.3V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG30CA

MSMBG30CA

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG28CAE3

MSMBG28CAE3

Опис: TVS DIODE 28V 45.4V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG2K3.3E3

MSMBG2K3.3E3

Опис: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBG33A

MSMBG33A

Опис: TVS DIODE 33V 53.3V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG2K3.3

MSMBG2K3.3

Опис: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBG2K4.0

MSMBG2K4.0

Опис: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBG30CAE3

MSMBG30CAE3

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG30A

MSMBG30A

Опис: TVS DIODE 30V 48.4V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG26CAE3

MSMBG26CAE3

Опис: TVS DIODE 26V 42.1V DO215AA

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MSMBG2K5.0

MSMBG2K5.0

Опис: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO215AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
MSMBG2K3.0E3

MSMBG2K3.0E3

Опис: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.