Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MP6KE91AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3348264

MP6KE91AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MP6KE91AE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    1
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    86.5V
  • Напруга - розподіл (мін)
    77.8V
  • Напруга - розбивка
    T-18
  • Тип
    Zener
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Потік струму - низька частота
    General Purpose
  • Захист силової лінії
    600W
  • Потужність - пік імпульсу
    4.8A
  • Поляризація
    T-18, Axial
  • Інші імена
    1086-7151
    1086-7151-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    MP6KE91AE3
  • Опис
    TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    125V
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    No
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE82A

MP6KE82A

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Опис: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Опис: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE91A

MP6KE91A

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Опис: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Опис: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Опис: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти