Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MAP6KE51AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3487031

MAP6KE51AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MAP6KE51AE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    43.6V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    70.1V
  • Напруга - розподіл (мін)
    48.5V
  • Однонаправлені канали
    1
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    T-18
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    600W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    T-18, Axial
  • Інші імена
    1086-4578
    1086-4578-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    8.6A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Програми
    General Purpose
MAP6KE43CA

MAP6KE43CA

Опис: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE56CA

MAP6KE56CA

Опис: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE6.8CAE3

MAP6KE6.8CAE3

Опис: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE6.8CA

MAP6KE6.8CA

Опис: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE56A

MAP6KE56A

Опис: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE47A

MAP6KE47A

Опис: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE51CAE3

MAP6KE51CAE3

Опис: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE47CA

MAP6KE47CA

Опис: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE56AE3

MAP6KE56AE3

Опис: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE43AE3

MAP6KE43AE3

Опис: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE39CAE3

MAP6KE39CAE3

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE6.8AE3

MAP6KE6.8AE3

Опис: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE51A

MAP6KE51A

Опис: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE43A

MAP6KE43A

Опис: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE47CAE3

MAP6KE47CAE3

Опис: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE6.8A

MAP6KE6.8A

Опис: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE43CAE3

MAP6KE43CAE3

Опис: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE47AE3

MAP6KE47AE3

Опис: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE56CAE3

MAP6KE56CAE3

Опис: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE51CA

MAP6KE51CA

Опис: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти