Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > APTM60A11FT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3572644

APTM60A11FT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
100+
$37.393
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APTM60A11FT1G
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Пакет пристрою постачальника
    SP1
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    132 mOhm @ 33A, 10V
  • Потужність - Макс
    390W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    SP1
  • Інші імена
    APTM60A11UT1G
    APTM60A11UT1G-ND
  • Робоча температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    10552pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особливість FET
    Standard
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    40A
APTM50UM19SG

APTM50UM19SG

Опис: MOSFET N-CH 500V 163A J3

Виробники: Microsemi
В наявності
APTMC120AM16CD3AG

APTMC120AM16CD3AG

Опис: MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM50SKM17G

APTM50SKM17G

Опис: MOSFET N-CH 500V 180A SP6

Виробники: Microsemi
В наявності
APTMC120AM08CD3AG

APTMC120AM08CD3AG

Опис: MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM60A23FT1G

APTM60A23FT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

Виробники: Microsemi
В наявності
APTMC120AM09CT3AG

APTMC120AM09CT3AG

Опис: MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM50UM13SAG

APTM50UM13SAG

Опис: MOSFET N-CH 500V 335A SP6

Виробники: Microsemi
В наявності
APTMC120AM55CT1AG

APTMC120AM55CT1AG

Опис: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

Виробники: Microsemi
В наявності
APTMC120AM12CT3AG

APTMC120AM12CT3AG

Опис: MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM50TAM65FPG

APTM50TAM65FPG

Опис: MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM50SKM35TG

APTM50SKM35TG

Опис: MOSFET N-CH 500V 99A SP4

Виробники: Microsemi
В наявності
APTMC120AM25CT3AG

APTMC120AM25CT3AG

Опис: MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F

Виробники: Microsemi
В наявності
APTMC120HM17CT3AG

APTMC120HM17CT3AG

Опис: POWER MODULE - SIC MOSFET

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM50UM25SG

APTM50UM25SG

Опис: MOSFET N-CH 500V 149A J3

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM50SKM19G

APTM50SKM19G

Опис: MOSFET N-CH 500V 163A SP6

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM50SKM38TG

APTM50SKM38TG

Опис: MOSFET N-CH 500V 90A SP4

Виробники: Microsemi
В наявності
APTMC120AM20CT1AG

APTMC120AM20CT1AG

Опис: MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM50TDUM65PG

APTM50TDUM65PG

Опис: MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM60H23FT1G

APTM60H23FT1G

Опис: MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

Виробники: Microsemi
В наявності
APTM50UM09FAG

APTM50UM09FAG

Опис: MOSFET N-CH 500V 497A SP6

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти