Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > APTM50H10FT3G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1800941

APTM50H10FT3G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
100+
$66.116
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APTM50H10FT3G
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.APTM50H10FT3G.pdf
    2.APTM50H10FT3G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 1mA
  • Пакет пристрою постачальника
    SP3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 18.5A, 10V
  • Потужність - Макс
    312W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    SP3
  • Робоча температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4367pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • Тип FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • Особливість FET
    Standard
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    500V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    37A

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "APTM50H10FT3G".
APTM50H14FT3G

APTM50H14FT3G

Опис: MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50DUM38TG

APTM50DUM38TG

Опис: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50HM75FT3G

APTM50HM75FT3G

Опис: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50DUM17G

APTM50DUM17G

Опис: MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50DSK10T3G

APTM50DSK10T3G

Опис: MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50DUM25TG

APTM50DUM25TG

Опис: MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50DHM65TG

APTM50DHM65TG

Опис: MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50HM75FTG

APTM50HM75FTG

Опис: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50HM75STG

APTM50HM75STG

Опис: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50HM65FT3G

APTM50HM65FT3G

Опис: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50DSKM65T3G

APTM50DSKM65T3G

Опис: MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50HM38FG

APTM50HM38FG

Опис: MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50DHM65T3G

APTM50DHM65T3G

Опис: MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50HM75SCTG

APTM50HM75SCTG

Опис: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50DUM35TG

APTM50DUM35TG

Опис: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50HM35FG

APTM50HM35FG

Опис: MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50HM65FTG

APTM50HM65FTG

Опис: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50DHM75TG

APTM50DHM75TG

Опис: MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50H15FT1G

APTM50H15FT1G

Опис: MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APTM50DUM19G

APTM50DUM19G

Опис: MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.