Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > APT80SM120S
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2922802

APT80SM120S

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT80SM120S
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    POWER MOSFET - SIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    APT80SM120S.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    +25V, -10V
  • Технологія
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D3Pak
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 40A, 20V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    625W (Tc)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    235nC @ 20V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    20V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    1200V
  • Детальний опис
    N-Channel 1200V 80A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "APT80SM120S".
APT80F60J

APT80F60J

Опис: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT84F50L

APT84F50L

Опис: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT84M50L

APT84M50L

Опис: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT80M60J

APT80M60J

Опис: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT8075BN

APT8075BN

Опис: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT85GR120L

APT85GR120L

Опис: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT80SM120J

APT80SM120J

Опис: POWER MOSFET - SIC

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT80GP60J

APT80GP60J

Опис: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Опис: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT80SM120B

APT80SM120B

Опис: POWER MOSFET - SIC

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT84M50B2

APT84M50B2

Опис: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT80GA60B

APT80GA60B

Опис: IGBT 600V 143A 625W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Опис: IGBT 600V 143A 625W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Опис: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT84F50B2

APT84F50B2

Опис: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Опис: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Опис: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT8M100B

APT8M100B

Опис: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT85GR120J

APT85GR120J

Опис: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT80GA90B

APT80GA90B

Опис: IGBT 900V 145A 625W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.