Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > APT10M11JVRU3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1325095Зображення APT10M11JVRU3Microsemi

APT10M11JVRU3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$34.27
10+
$31.702
25+
$29.131
100+
$27.075
250+
$24.847
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT10M11JVRU3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.APT10M11JVRU3.pdf
    2.APT10M11JVRU3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 71A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    450W (Tc)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Інші імена
    APT10M11JVRU3MI
    APT10M11JVRU3MI-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    8600pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    142A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "APT10M11JVRU3".
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Опис: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Опис: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Опис: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Опис: IGBT 600V 41A 187W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Опис: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Опис: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Опис: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Опис: IGBT 600V 183A 780W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Опис: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Опис: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Опис: IGBT 600V 183A 780W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Опис: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Опис: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Опис: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Опис: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.