1N5804US

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності

$11.71

10+

$10.647

100+

$9.05

500+

$7.719

Запит онлайн

Технічні характеристики

Номер частини

1N5804US
Виробник / марка

Microsemi
Кількість запасів

В наявності
Опис

DIODE GEN PURP 100V 1A D5A
Статус безкоштовного статусу / RoHS

Містить свинець / RoHS невідповідний
Технічні таблиці

1N5804US.pdf
Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо

875mV @ 1A
Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)

100V
Пакет пристрою постачальника

D-5A
Швидкість

Fast Recovery = 200mA (Io)
Серія

-
Зворотний час відновлення (trr)

25ns
Упаковка

Bulk
Пакет / Корпус

SQ-MELF, A
Робоча температура - з'єднання

-65°C ~ 175°C
Тип монтажу

Surface Mount
Рівень чутливості вологи (MSL)

1 (Unlimited)
Час виробництва виробника

7 Weeks
Статус безкоштовного статусу / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Тип діодів

Standard
Детальний опис

Diode Standard 100V 1A Surface Mount D-5A
Поточний - зворотний витік @ Vr

1µA @ 100V
Поточний - середній виправлений (Io)

1A
Ємність @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Далі - продукти, пов'язані з "1N5804US".

1N5802US

Опис: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5805

Опис: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5807

Опис: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5808

Опис: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5803

Опис: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5806TR

Опис: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5806US

Опис: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5807US

Опис: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ