Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1321890

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 16G 1600MHZ
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    -
  • Напруга - Постачання
    1.1V
  • Технологія
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Серія
    -
  • Інші імена
    MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B-ND
    MT53B512M32D2GZ-062AIT:B
  • Робоча температура
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    16Gb (512M x 32)
  • Інтерфейс пам'яті
    -
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (512M x 32) 1600MHz
  • Часова частота
    1600MHz
MT53B512M32D2NP-053 WT:C

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

Опис: IC DRAM 16G 1866MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2NP-062 AAT:C

MT53B512M32D2NP-062 AAT:C

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M16D1Z11NWC1

MT53B512M16D1Z11NWC1

Опис: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

Опис: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2DS-062 XT:C

MT53B512M32D2DS-062 XT:C

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

Опис: IC DRAM 16G 1866MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR

MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Опис: IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M16D1Z11MWC1

MT53B512M16D1Z11MWC1

Опис: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

Опис: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти