Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > MT47H128M4B6-25E:D TR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5707799Зображення MT47H128M4B6-25E:D TRMicron Technology

MT47H128M4B6-25E:D TR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$15.612
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MT47H128M4B6-25E:D TR
  • Виробник / марка
    Micron Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MT47H128M4B6-25E:D TR.pdf
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR2
  • Пакет пристрою постачальника
    60-FBGA
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    60-FBGA
  • Інші імена
    MT47H128M4B6-25E:D TR-ND
    MT47H128M4B6-25E:DTR
  • Робоча температура
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    512Mb (128M x 4)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA
  • Часова частота
    400MHz
  • Номер базової частини
    MT47H128M4
  • Час доступу
    400ps

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MT47H128M4B6-25E:D TR".
MT47H128M4CB-3:B TR

MT47H128M4CB-3:B TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M16RT-25E IT:C

MT47H128M16RT-25E IT:C

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M4CB-37E:B

MT47H128M4CB-37E:B

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M16RT-25E IT:C TR

MT47H128M16RT-25E IT:C TR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M4CF-187E:G

MT47H128M4CF-187E:G

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M4B6-3:D TR

MT47H128M4B6-3:D TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M4BT-37E:A TR

MT47H128M4BT-37E:A TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M4CF-25E:G

MT47H128M4CF-25E:G

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C

MT47H128M16RT-25E XIT:C

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT47H128M16RT-25E AIT:C

MT47H128M16RT-25E AIT:C

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.