Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > MT46V128M4BN-5B:F TR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2544539Зображення MT46V128M4BN-5B:F TRMicron Technology

MT46V128M4BN-5B:F TR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$9.331
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MT46V128M4BN-5B:F TR
  • Виробник / марка
    Micron Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    MT46V128M4BN-5B:F TR.pdf
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR
  • Пакет пристрою постачальника
    60-FBGA (10x12.5)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    60-TFBGA
  • Інші імена
    MT46V128M4BN-5B:F TR-ND
    MT46V128M4BN-5B:FTR
  • Робоча температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    512Mb (128M x 4)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Часова частота
    200MHz
  • Номер базової частини
    MT46V128M4
  • Час доступу
    700ps

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MT46V128M4BN-5B:F TR".
MT46V128M4BN-5B:F

MT46V128M4BN-5B:F

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46V128M4FN-5B:D TR

MT46V128M4FN-5B:D TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46H8M32LFB5-5:H

MT46H8M32LFB5-5:H

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46V128M4CY-5B:J

MT46V128M4CY-5B:J

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46H8M32LFB5-6:A TR

MT46H8M32LFB5-6:A TR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46V128M4BN-6:D TR

MT46V128M4BN-6:D TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46V128M4BN-6:D

MT46V128M4BN-6:D

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46H8M32LFB5-5:H TR

MT46H8M32LFB5-5:H TR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46V128M4BN-6:F TR

MT46V128M4BN-6:F TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46V128M4BN-75:D TR

MT46V128M4BN-75:D TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46V128M4CY-5B:J TR

MT46V128M4CY-5B:J TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46V128M4BN-6:F

MT46V128M4BN-6:F

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46H8M32LFB5-6 IT:H

MT46H8M32LFB5-6 IT:H

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46H8M32LFB5-75:A TR

MT46H8M32LFB5-75:A TR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46H8M32LFB5-6:H

MT46H8M32LFB5-6:H

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46V128M4BN-75:D

MT46V128M4BN-75:D

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT46V128M4FN-5B:F TR

MT46V128M4FN-5B:F TR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.