Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > MT41K256M16TW-125:P
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2669586

MT41K256M16TW-125:P

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MT41K256M16TW-125:P
  • Виробник / марка
    Micron Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    MT41K256M16TW-125:P.pdf
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    -
  • Напруга - Постачання
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR3L
  • Серія
    -
  • Робоча температура
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    4Gb (256M x 16)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns
  • Часова частота
    800MHz
  • Час доступу
    20ns

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MT41K256M16TW-125:P".
MT41K256M16V80AWC1

MT41K256M16V80AWC1

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P

MT41K256M16TW-107 AUT:P

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M4DA-107:J

MT41K256M4DA-107:J

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P

MT41K256M16TW-107 XIT:P

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M4JP-15E:G

MT41K256M4JP-15E:G

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16V00HWC1

MT41K256M16V00HWC1

Опис: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P TR

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

Опис: MEMORY DRAM

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16V90BWC1

MT41K256M16V90BWC1

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M8DA-107 AAT:K

MT41K256M8DA-107 AAT:K

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16V00HWC1-N001

MT41K256M16V00HWC1-N001

Опис: DDR3 4G DIE 256MX16

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M4JP-125:G

MT41K256M4JP-125:G

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M4JP-15E:G TR

MT41K256M4JP-15E:G TR

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
MT41K256M4DA-107:J TR

MT41K256M4DA-107:J TR

Опис: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Виробники: Micron Technology
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.