Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RND030N20TL
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1442865Зображення RND030N20TLLAPIS Semiconductor

RND030N20TL

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.329
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RND030N20TL
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RND030N20TL.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5.2V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    CPT3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    870 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    850mW (Ta), 20W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    RND030N20TLTR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    270pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    6.7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    200V
  • Детальний опис
    N-Channel 200V 3A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RND030N20TL".
BUK7E1R6-30E,127

BUK7E1R6-30E,127

Опис: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Виробники: NXP Semiconductors / Freescale
В наявності
RFQ
RND02ZGE-M6

RND02ZGE-M6

Опис: DC DC CONVERTER 3.27V 5.2V 10W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
FDU8796

FDU8796

Опис: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
BSP320SH6327XTSA1

BSP320SH6327XTSA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPI120N04S402AKSA1

IPI120N04S402AKSA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
FQA13N50C-F109

FQA13N50C-F109

Опис: MOSFET N-CH 500V 13.5A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
RND0.8ZHH-M6

RND0.8ZHH-M6

Опис: DC DC CONVERTER +/-12V 10W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
RND0.8ZHH-M6G

RND0.8ZHH-M6G

Опис: DC DC CONVERTER +/-12V 10W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
TPH1400ANH,L1Q

TPH1400ANH,L1Q

Опис: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
IXKN45N80C

IXKN45N80C

Опис: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
SUP53P06-20-E3

SUP53P06-20-E3

Опис: MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RND02ZGG-M6

RND02ZGG-M6

Опис: DC DC CONVERTER +/-5.1V 10W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
BSZ0502NSIATMA1

BSZ0502NSIATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRF740LCSTRL

IRF740LCSTRL

Опис: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

Опис: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
SIHP21N65EF-GE3

SIHP21N65EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFR2905ZTR

IRFR2905ZTR

Опис: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
PMN40ENEX

PMN40ENEX

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.