Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RJU002N06T106
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1239707Зображення RJU002N06T106LAPIS Semiconductor

RJU002N06T106

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.54
10+
$0.379
100+
$0.249
500+
$0.147
1000+
$0.113
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RJU002N06T106
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RJU002N06T106.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    UMT3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    200mW (Ta)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Інші імена
    RJU002N06T106DKR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    18pF @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RJU002N06T106".
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

Опис: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

Опис: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

Опис: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

Опис: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

Опис: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

Опис: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU4351TDPP-EJ#T2

RJU4351TDPP-EJ#T2

Опис: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU60C3SDPD-E0#J2

RJU60C3SDPD-E0#J2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

Опис: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

Опис: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RJU003N03T106

RJU003N03T106

Опис: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

Опис: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU60C2SDPD-E0#J2

RJU60C2SDPD-E0#J2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RJU4352SDPD-E0#J2

RJU4352SDPD-E0#J2

Опис: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.