Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RHU002N06T106
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3226277Зображення RHU002N06T106LAPIS Semiconductor

RHU002N06T106

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.073
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RHU002N06T106
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RHU002N06T106.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    -
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    UMT3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.4 Ohm @ 200mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    200mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Інші імена
    RHU002N06T106-ND
    RHU002N06T106TR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    15pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.4nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RHU002N06T106".
FDB8445-F085

FDB8445-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
BSP125L6327HTSA1

BSP125L6327HTSA1

Опис: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SUM85N15-19-E3

SUM85N15-19-E3

Опис: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
PSMN034-100PS,127

PSMN034-100PS,127

Опис: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
SUD45P03-10-E3

SUD45P03-10-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFR4104TR

IRFR4104TR

Опис: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRL3303L

IRL3303L

Опис: MOSFET N-CH 30V 38A TO-262

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
AOTF7N60

AOTF7N60

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
IPD90R1K2C3BTMA1

IPD90R1K2C3BTMA1

Опис: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
FQPF13N06

FQPF13N06

Опис: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFZ44ZLPBF

IRFZ44ZLPBF

Опис: MOSFET N-CH 55V 51A TO-262

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RHU003N03FRAT106

RHU003N03FRAT106

Опис: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RHU003N03T106

RHU003N03T106

Опис: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IRFZ48NL

IRFZ48NL

Опис: MOSFET N-CH 55V 64A TO-262

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
VN0606L-G-P003

VN0606L-G-P003

Опис: MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3

Виробники: Micrel / Microchip Technology
В наявності
RFQ
TPCA8025(TE12L,Q,M

TPCA8025(TE12L,Q,M

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
IRFL4315TRPBF

IRFL4315TRPBF

Опис: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRLL014NTR

IRLL014NTR

Опис: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.