Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > RFN3BM2STL
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4080871Зображення RFN3BM2STLLAPIS Semiconductor

RFN3BM2STL

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.00
10+
$0.882
100+
$0.697
500+
$0.54
1000+
$0.427
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RFN3BM2STL
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.RFN3BM2STL.pdf
    2.RFN3BM2STL.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    980mV @ 3A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    200V
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252
  • Швидкість
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Зворотний час відновлення (trr)
    25ns
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    RFN3BM2STLCT
  • Робоча температура - з'єднання
    150°C (Max)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    10µA @ 200V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    3A
  • Ємність @ Vr, F
    -

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RFN3BM2STL".
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Опис: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Опис: DIODE GEN PURPOSE CPD

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN5BGE3STL

RFN5BGE3STL

Опис: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Опис: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Опис: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Опис: DIODE GEN PURPOSE CPD

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Опис: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Опис: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Опис: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Опис: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Опис: DIODE GEN PURPOSE CPD

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Опис: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Опис: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Опис: DIODE GEN PURPOSE CPD

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Опис: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Опис: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.