Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RDN120N25FU6
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
49628Зображення RDN120N25FU6LAPIS Semiconductor

RDN120N25FU6

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RDN120N25FU6
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RDN120N25FU6.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220FN
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    210 mOhm @ 6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    40W (Tc)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1224pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    250V
  • Детальний опис
    N-Channel 250V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RDN120N25FU6".
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IXFH35N30

IXFH35N30

Опис: MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Опис: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
AOTF474

AOTF474

Опис: MOSFET N-CH 75V 9A TO220FL

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
2N6788

2N6788

Опис: MOSFET N-CH 100V TO-205AF

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
IRFIB8N50KPBF

IRFIB8N50KPBF

Опис: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
EPC8004ENGR

EPC8004ENGR

Опис: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE

Виробники: EPC
В наявності
RFQ
IPD50N06S214ATMA1

IPD50N06S214ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRLR4343TRL

IRLR4343TRL

Опис: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
MTP2P50EG

MTP2P50EG

Опис: MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQA85N06

FQA85N06

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Опис: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

Опис: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RDN120N25

RDN120N25

Опис: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

Опис: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Опис: DIFFERENTIATED MOSFETS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRF5210STRLPBF

IRF5210STRLPBF

Опис: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
STF30N10F7

STF30N10F7

Опис: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.