Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RDN100N20FU6
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5208420Зображення RDN100N20FU6LAPIS Semiconductor

RDN100N20FU6

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$3.14
10+
$2.834
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RDN100N20FU6
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RDN100N20FU6.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220FN
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    35W (Tc)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    543pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    200V
  • Детальний опис
    N-Channel 200V 10A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RDN100N20FU6".
IXFP20N50P3M

IXFP20N50P3M

Опис: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Опис: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Опис: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IRF3706

IRF3706

Опис: MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
CSD13302WT

CSD13302WT

Опис: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

Виробники: Luminary Micro / Texas Instruments
В наявності
RFQ
IRF7809ATR

IRF7809ATR

Опис: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPP052N08N5AKSA1

IPP052N08N5AKSA1

Опис: MOSFET N-CH TO220-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC883N03MSGATMA1

BSC883N03MSGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRF9Z24STRRPBF

IRF9Z24STRRPBF

Опис: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

Опис: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
NVF3055L108T3G

NVF3055L108T3G

Опис: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
R5021ANX

R5021ANX

Опис: MOSFET N-CH 500V 21A TO220

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IRFBG20

IRFBG20

Опис: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IPP60R230P6XKSA1

IPP60R230P6XKSA1

Опис: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

Опис: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
DMN6040SVTQ-13

DMN6040SVTQ-13

Опис: MOSFET NCH 60V 5A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
IPN50R650CEATMA1

IPN50R650CEATMA1

Опис: MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RDN120N25

RDN120N25

Опис: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.