Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > RDN050N20FU6
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
74020Зображення RDN050N20FU6LAPIS Semiconductor

RDN050N20FU6

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
500+
$0.902
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RDN050N20FU6
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RDN050N20FU6.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220FN
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    720 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    30W (Tc)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    292pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    18.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    200V
  • Детальний опис
    N-Channel 200V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RDN050N20FU6".
NIF9N05CLT3

NIF9N05CLT3

Опис: MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVTFS5116PLWFTAG

NVTFS5116PLWFTAG

Опис: MOSFET P-CH 60V 14A U8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
RDN120N25

RDN120N25

Опис: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS4925NET1G

NTMFS4925NET1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SPD08N50C3BTMA1

SPD08N50C3BTMA1

Опис: MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

Опис: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

Опис: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IRLL3303TRPBF

IRLL3303TRPBF

Опис: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
FQB3N90TM

FQB3N90TM

Опис: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRLR7821TRPBF

IRLR7821TRPBF

Опис: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
BUK761R4-30E,118

BUK761R4-30E,118

Опис: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

Виробники: NXP Semiconductors / Freescale
В наявності
RFQ
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
STP28N60M2

STP28N60M2

Опис: MOSFET N-CH 600V 24A TO-220

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Опис: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
SPP20N60S5HKSA1

SPP20N60S5HKSA1

Опис: HIGH POWER_LEGACY

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Опис: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IPD50N04S4L08ATMA1

IPD50N04S4L08ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.